氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 是影响全球产业的功率半导体。其不断增长的市场规模就是明证，预计到 2028 年将达到 10.164 亿美元，到 2031 年将达到 25.286 亿美元。
在功率模块组装方面，宽带隙（WBG）半导体正在掀起波澜，其高工作温度、性能和能源效率均优于硅器件。
GaN和SiC是 WBG 半导体的典型代表，在许 塞浦路斯 Whatsapp 移动数据库 多应用中越来越受欢迎。推动其市场增长的因素包括电子设备使用率的提高、能源优化的需求，以及不断发展的技术，这些技术使半导体晶圆的层数更薄，从而提高性能并降低成本。
向未来，并高度重视环保。GaN 和 SiC 通过提高能源效率和减少浪费来促进可持续发展。它们可提高功率转换率、产生更少的热量并延长使用寿命，从而最大限度地减少冷却需求并减少电子垃圾。它们的效率还支持可再生能源系统和电动汽车的有效性，为更清洁、更可持续的未来做出贡献。
SiC 与 GaN
这两种化合物都具有多种优势，并且正在不断开发更多改进以最大限度地发挥其功能。然而，制造业正在严格评估每种化合物的优缺点，以确定哪种化合物最适合其产品。决定将取决于哪种材料最能满足其特定应用中对效率、耐用性和环境影响不断变化的需求。
SiC 由硅和碳组成，因其在高性能应用中的卓越性能而闻名：
高导热性，使其能够在高温下有效运行并承受恶劣的环境。
高击穿电压和抗电应力特性，使其成为逆变器、电源和电动汽车等电力电子设备的理想选择。
耐用性，减少对广泛冷却系统的需求，并提高电子设备的使用寿命和可靠性。
GaN 于 2001 年首次引起轰动，彻底改变了照明技术，如今 LED 占据了全球市场的 50% 以上。此外，这一转变还导致人们预测，未来七年LED 照明将使照明用电量减少30% 至 40% 。
GaN的更多优势如下：
卓越的能源效率，减少电子系统中的功率损耗。
高速开关，使电力电子设备运行更快、更高效。
能够在更小的尺寸内处理更高的功率水平，从而实现紧凑、轻巧的设计。
可在较高温度下运行，且能够耐受更高的热量，从而减少了大量冷却的需要。
在高频和高压应用中具有更好的性能和可靠性。